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超平二氧化硅基底片(Ultra-Flat Thermal SiO2 Substrates)

超平二氧化硅基底是在超平硅晶片上熱生長非晶SiO2膜(200nm厚度)。SiO2是最具特色的材料之一,廣泛用于半導體制造,薄膜研究和生長細胞的基質,它可以直接用作AFMSEM成像的基底。超平的Thermal二氧化硅基底是6英寸晶圓,或是切割6英寸晶圓而來,切割后的尺寸分別有5x5mm,5x7mm10x10mm芯片。6英寸晶圓采用6英寸晶圓托盤運輸,切割后的二氧化硅片裝在Gel-Pak盒中。本產品在10級潔凈室條件下包裝。

基底的特性:

  • 方向:<100>
  • 等級:Prime / CZ Virgin
  • 電阻:1-50 Ohm/cm
  • 類型:P / Dopant:硼
  • 晶圓厚度:655-695μm
  • TTV<=7μm/ STIR<=1.0μm
  • 翹曲:<=40μm/弓:<=40μm
  • 顆粒:< = 20 @ > =3.0μm
  • 前表面:拋光
  • 背面:蝕刻
  • 平面:每SEMI標準1個(平面長度57.5 + / 12.5mm
  • 薄膜:200nm +/- 5%熱氧化物(SiO 2),無定形
  • 尺寸:6“(150mm)直徑晶圓或5x5mm,5x7mm10x10mm切割芯片
  • 粗糙度:典型的2-3Å

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貨號

產品名稱

 

包裝

TP-21620-6

6英寸晶圓盒上的ø6英寸平晶片 1片

TP-21620-55

5x5mm切割超平晶片 25片

TP-21620-57

5x7mm切割超平晶片 18片

TP-21620-510

10x10mm切割超平晶片 6片

 

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